Hiljuti pakkus Shanxi ülikooli optoelektroonika instituudi professor Lu Huadongi uurimisrühm innovaatilise meetodi saavutamiseks suure stabiilsusega kitsaspektriga lähedase laserväljundi saavutamiseks, segades stimuleeritud emissiooni ja optilisi parameetrilisi protsesse ., tutvustades optilise parameetrilise protsessiga resontaalsete protsesside võrrandit Resontantse LASE-i koosseisus. Laserimpulsi moodustumise protsess vähenes tunduvalt, kitsendades väljundlaseri impulsi laiust tõhusalt ja vähendades laserimpulsi . ajastusnõela lõpuks nanosekundilise impulsi 830 nm lähedase laserväljundiga väljundvõimsusega 7 {11} 75 w ja a. saadud ja selle impulsi ajastuse standardhälve oli vaid 2,285 ns. See uuring annab uue idee kompaktse, suure võimsusega ja kõrge stabiilsusega kitsasse spektrilise laseri realiseerimiseks ilma kontrollita.
Lähis-infrapuna valgusallikaid (700 ~ 1000 nm) on laialdaselt kasutatud materjalide töötlemisel, biomeditsiini, keskkonnaseire ja LiDAR-i, kuna nende suurepärased läbitungimise ja madala hajumisomaduste tõttu . mittelineaarse sageduse muundamise tehnoloogia kaudu, selle väljundjalapikkust saab täiendavalt täiustada, et täiustada TerAhertzi, NOT-i rakendusi, NO-Frared, Visible'i, vihaaravi, vihaaral. Turvatuvastuse, laserside, laserprojektsiooni ja litograafiana .
Praegu kasutatakse võimendusega titaanist sappiiri lasereid tavaliselt suure võimsusega kitsasse spektriga nanosekundilise impulsi saavutamiseks infrapuna-infrapuna laserväljundi . saavutamiseks ., kuid titaani safiiride kristallid annavad soojusefektid, kui pumbatakse suure võimsusega, mis piirab tõsiselt väljundvõimsusega efektiivsust ja bam-i kvaliteeti {{{{ Laserit juhitakse vähese võimsusega, impulsi ajastus on tõsine värisemine madala pumpamiskiiruse . tõttu lisaks, kasutades pumpamise optilise parameetrilise ostsillaatorite 532 nm laserit, on ka tõhus meetod, et genereerida lähedast laserväljundit., ehkki see meetod ei ole Bandw-i poolt tekkivate protsesside poolt piiratud, kui see on piiratud, kuna see on võimalik Väljundsignaali valguse spektri laius on suure võimsusega ., et selle spektri laiuse tõhusaks kitsendamiseks pumbata, seda tuleb süstida ja lukustada kvaliteetsete kitsaste spektriga laserite abil, mis mitte ainult ei suurenda valgusallika maksumust, vaid mõjutab ka süsteemi stabiilsust ..
Praeguste tehniliste raskuste ületamiseks pakkus uurimisrühm välja meetodi, et saavutada kõrge stabiilsusega kitsaspektriga lähi-infrapuna laserväljund, segades stimuleeritud emissiooni ja optilisi parameetrilisi protsesse . esiteks laserimpulsi väljundi dünaamiline protsess enne ja pärast optilise parameetrilise protsessi tutvustamist võimendusega TIRE-s Analüüsitud ., nagu on näidatud joonisel 1, võetakse võimenduskeskkonna pumbamisel võimendusega laser kiirelt laser ülemisele energiatasemele kiiresti ja seejärel moodustatakse laserimpulsi väljund spontaanse emissiooni ja stimuleeritud emissiooni toimimisel; Ja kui optilise parameetriline protsess viiakse resonantsõõnsusesse, võib optilise parameetrilise protsessi suurem mittelineaarne muundamise efektiivsus suurendada laserimpulsi moodustumise protsessis stimuleeritud heitekiirust ja vähendada spontaansete emissiooni terminite osakaalu, nii et impulsi moodustumise aeg ja impulsi laiuse valguse tuleks on {8}, mis on lühendatud, kuna see on lühendatud. Optilise parameetriline protsess, väljundlaseri impulsi ajastus on märkimisväärselt paranenud .
Uurimisrühm kavandas infrapuna laser segatud stimuleeritud emissiooni ja optiliste parameetriliste protsessidega, nagu on näidatud joonisel 2. Ti: Sapphire Crystal ja LBO mittelineaarsed kristallid, sisestatakse ühte resonantsõõnsusesse, kuna GAIN-i ja optilise parameetrilise söötme ., mis on VIIL-i ja optilise parameetrilise söötmena ja optilise parameetrilise söötmena: Ti-i vahel. Parameetriline protsess, kasutatakse pumbaallikatena kahte nanosekundilise impulsi 532 nm laserite komplekti, mille kordussagedus on 6 kHz, ja kahe pumba allika impulsijärjestuste sünkroonseks käivitamiseks kasutatakse viivitus-/impulsigeneraatorit ja juhtida impulsi ajastust . lisas koos SAPP -ga, et tappis etentse. 0 {. paksused 5 mm ja 10 mm ning neli kombineeritud kahesuunalist filtrit sisestatakse resonantse õõnsusesse . Lõpuks sisestatakse isesisestumise reflektor pärast väljundpeeglit, et tagada levimissuund TI: SAPPHIRE OSCILLICE LEALT-i, mis on optilisel valgustusel.
Katses juhitakse kahe pumba tule impulsi ajastust viivituse/impulsigeneraatori abil ja väljundlaseri ajadomeeni omadused pärast optilise parameetrilise protsessi kasutuselevõttu optimeeritakse, nagu on näidatud joonisel 3. pärast seda, kui optilise parameetrilise protsessi optilise protsessi tulemus on suurendatud protsessis, mis ühendatakse protsessis SP-protsessis, mis vähendab signaali heledat genereerimist, optilise parameetri abil optilise parameetriga optilise parameetriga optilise parameetriga, optilise parameetriga, optilise parameetriga. Laseri impulsi moodustumise protsess ja samal ajal suurendab stimuleeritud emissiooni kiirust, nii et väljundlaseri impulsi laiust vähendatakse 66 . 3 ns -lt 18 -ni . 9 ns ja impulsi moodustumisaeg lüheneb 372,9 ns kuni 310 ns. Samal ajal, kuna pumba valguse ja signaali valguse impulsi vahelise viivituse tõttu optilise parameetrilises protsessis ei ole märkimisväärselt paranenud ja selle standardhälvet väheneb 9,926 ns kuni 2,285-ni.
Pärast optilise parameetrilise protsessi tutvustamist võimendusega laseris ja kahe pumba valguse impulsi ajastuse optimeerimist saavutati 7 . 75 W 830 nm laserväljund ja selle võimsuse stabiilsus oli parem kui 0 . 85% (rms), nagu joonisel 4 (a); Pikisuunalise režiimi karakteristikuid mõõdeti skaneeriva FP õõnsuse (SA 210-8 B, Thorlabs) abil ja tulemused näitasid, et see võib säilitada head üksiku pikisuunalise režiimi töö maksimaalse väljundvõimsuse korral, nagu on näidatud joonisel 4 (b); Ristirežiimi omadusi mõõdeti tala kvaliteedi analüsaatori (M2MSBC207VIS/M, Thorlabs) abil ja tala kvaliteedi M2 tegur oli parem kui 1,37 ja 1,47 suunas x ja y, nagu on näidatud joonisel 4 (c). Samal ajal skaneerides sünkroonselt kahepoolse filtri häälestusnurga ja LBO kristalli temperatuuri, saavutati lai lainepikkuse häälestamise vahemik 764,90 nm kuni 873,43 nm, nagu on näidatud joonisel 4 (d).
····················································
Meeskond lõi meetodi kõrge stabiilsusega, suure energiatarbega lähi-infrapuna laserväljundi saavutamiseks, segades stimuleeritud emissiooni ja optilisi parameetrilisi protsesse, ning realiseeris lähedase infraad-laseriga kompaktstruktuuri, kõrge stabiilsuse ja kitsa spektri laiuse ., tutvustades optilise parameetrilise protsessi suurenemisrežiimi, mis on headegeeritud laserresonaatoril. Täiustatud . Lõpuks saavutati kompaktne 830 nm lähedase infrapuna laser, mille maksimaalne väljundvõimsus oli 7 . 75 w ja spektri laius 400,93 MHz, impulsi laius oli kitsas kui 18,9 ns ja standardvarustuses vähenemine impulsiga.
