1. Integreeritud vooluahela komponentide laserpuhastus IC-pakend on tihti pakitud IC-paketti.
Kuna IC-i integreerimine suureneb, on üha enam tihvtid saadaval ja augud vähenevad. Traditsioonilist meetodit on raske eemaldada väikese ava režiimis. Eksimeerlaserite eemaldamine võib täielikult tühistada väikese ava režiimi välklambi. Laser-stsintillatsiooni kasutamisel on võrreldavad eelised teiste meetoditega võrreldes. Ilmselgelt on laserkiirgus kõige sobivam IC-välklampide tehnoloogia. Laser-stsintillatsioon kasutab tavaliselt KrF eksimeerlaserit. Lainepikkus on 248 nm ja impulsi laius on 20 ns. Keskendudes planoon-kumer objektiivile, mille läbimõõt on 50 nm ja fookuskaugus 50 mm, on laserkiir õhu suhtes risti.
2. Integreeritud ahelakomponendi lasermärgistus Integraallülituste tootmisel esineb pakettmärkide kvaliteet sageli halvasti või tekib vigu. Teised kasutajad muudavad ajutiselt disaini ja vajavad olemasolevate märkide tühjendamist enne uuesti märgistamist.
Tavapärastel puhastusmeetoditel on töötlemise järel madal kiirus, halb automaatika ja töötlemata pind, mis piirab nende kasutamist integraallülitustes. Eksimeerlaseril on märgi tagasilükkamise kõrge efektiivsus ja märgi kvaliteet hea. Laseri eemaldamine peab nõuetekohaselt kontrollima eemaldamise sügavust. Liiga sügav mõjutab IC kiipi ja vähendab võimet vastu seista niiskuse vastu. Liiga madal, seda ei saa täielikult eemaldada. Säästa aega suurema energiatiheduse ja kõrgema kordumissagedusega. Kui laser on eemaldatud, eemaldatakse ka pinna tolm, rasv ja oksiidid, et paljastada puhas vorm. Pärast ümbermärgistamist on vastupidavus parem.
3. Suurte astronoomiliste teleskoopide puhastamine
Suure teleskoobide vabaõhu kasutamise tõttu on peegli pind sageli saastunud osakestega, mis põhjustab peegelduva peegelduse vähenemist, mille tulemuseks on pildi tugi, mis on suur probleem astronoomilistes vaatlustes. Suured peeglid on tavapäraste meetoditega raske puhastada. Head tulemused saadi KrF eksimeerlaseriga. Energiatiheduse künnis, mille juures laserkiir ei suuda tekitada peegelkahjustusi, suureneb lainepikkuse suurenemisel. Alates peegli kahjustuste vältimisest on ohutum valida pikem lainepikkuse puhastamine. Samal ajal tuleb puhastada abiaga või pumpamist, et kiirguse piirkonnast välja jäävaid osakesi puhastada või imeda ära, et vältida sekundaarset reostust.
4. Magnetpea liuguri õhu laagri puhastamine
Arvutite kettaseadmete valmistamisel vähendatakse säilitustiheduse suurendamiseks magnetpea lendekõrgust pidevalt umbes 0,1 μm võrra ja submikroniosakesed võivad kahjustada libistavat istet ja ketta pinda, põhjustades ajami süsteemi talitlushäire. . Seetõttu on libiseva õhu laagri puhastamine tootmisprotsessis hädavajalik protsess ja tavaline ultrahelipuhastus on väga halb. Uued uuringud näitavad, et laseri puhastamine on väga tõhus meetod magnetpea liugurõhu laagrite puhastamiseks. Magnetpea liuguriga õhu laager on valmistatud alumiiniumoksiidist ja titaankarbiidist. Tootmisprotsessi käigus kinnitatakse magnetilise laagri pind tavaliselt tsirkooniumoksiidi osakestele ja lahtised osakesed puhutakse esmalt välja tugeva õhuvoolu abil ja seejärel viiakse läbi laseri puhastamine. Pinnale kleepunud osakeste arvu uuriti optilise mikroskoopia abil enne ja pärast puhastamist.
5. Kunstiteoste puhastamine laseriga
Vana kunsti aardete laserpuhastus on üsna keeruline. Praegu kasutatakse laserpuhastustehnoloogiat peamiselt kultuurimälestiste ja suurte hoonete puhastamiseks ning keemiline puhastus võib kahjustada selle pinda ja ohustada keskkonda.
Viimastel aastatel on laseriga puhastamise tehnoloogia kasutamine olnud edukas Kölni katedraali maailmakuulsa vana arhitektuuri puhastamisel. Pärast kivi nikerdamise kollektsiooni laserpuhastust saadi sama mõju. Kivi pinda pärast laseri puhastamist täheldati elektronmikroskoobiga. Leiti, et kivi struktuur pärast laserpuhastust ei muutunud ja puhastatav pind oli vigastusteta sile ja tasane. Eksimeerlaserite kasutamine Hiina iidse vaskmündi ja metallkompassi puhastamiseks. Pinna saasteainete osakeste suurust saab puhastada nii väikesest kui molekulaarsest rühmast kuni 80 μm-ni ning objekti pinna peenstruktuur ja värvus ei muutu kahjustamata.
